ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися

Шановні клієнти інтернет-магазину!


 Можливі тимчасові затримки відвантаження товарів транспортними компаніями. Термін відправки після отримання оплати до 4 робочих днів. Вибачте за незручності.

Все Новости
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ Польові транзистори

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товару:
044642

Транзистор STP110N8F6

Транзистор STP110N8F6
Корпус: TO220
Виробник: ST Microelectronics (STM)
Товар в наявності
27,72 грн × = 27,72 грн
від 1 шт. : — 27,72 грн
від 50 шт. : — 24,95 грн ( -10,0%)
від 200 шт. : — 23,56 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
160 шт.
Для Інтернет-Замовлень
160 шт.

Схожі товари

Транзистор IRFB4310PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 130 А Rds2510V: 5.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор SUM70060E-GE3 Корпус: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 131 А Rds2510V: 4.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4410ZPBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 97 А Rds2510V: 7.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRF1607PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 142 А Rds2510V: 5.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFB3307PBF Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 120 А Rds2510V: 5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRFP4310ZPBF Корпус: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 134 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор IRF3808STRLPBF Корпус: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 106 А Rds2510V: 5.9 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 80 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 110 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 85 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 5.6 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2.5 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 200 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (551Kb)

Зображення товару

Транзистор STP110N8F6

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Подивитися більше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.