ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товару:
032016

Транзистор RJH60F7DPQ-A0

600 V - 50 A - IGBT + Diode
Транзистор RJH60F7DPQ-A0
Корпус: TO247
Виробник: Renesas Electronics Corporation (RENESAS)
Товар в наявності
199,50 грн × = 199,50 грн
від 1 шт. : — 199,50 грн
від 10 шт. : — 184,50 грн ( -7,5%)
від 30 шт. : — 169,60 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
62 шт.
Для Інтернет-Замовлень
62 шт.

Схожі товари

Транзистор IKW50N65F5FKSA1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 56 А Pd25: 305 Вт
Транзистор IKW50N60TFKSA1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Транзистор FGA50T65SHD Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 319 Вт
Транзистор IKW75N60T Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Транзистор NGTB50N60FLWG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 223 Вт
Транзистор NGTB50N60FL2WG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 417 Вт
Транзистор FGH40N60SMD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 349 Вт
Транзистор STGW39NC60VD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Транзистор SGT40N60NPFDPN Корпус: TO3P структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Транзистор IKW75N65EH5 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 395 Вт
Транзистор IHW40N60R Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Транзистор TGAN40N65F2DS Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 283 Вт
Транзистор FGH80N60FD2TU Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Транзистор IKW50N65ES5 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 60.5 А Pd25: 274 Вт
Транзистор YGW40N65F1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 188 Вт
Транзистор MPBW50N65E Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 300 Вт
Транзистор CRG75T65AK5HD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 468 Вт
Транзистор IRGP4068DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Транзистор RJH60F5DPQ-A0 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 260.4 Вт
Транзистор IRGP4069DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 76 А Ic100: 50 А Pd25: 268 Вт
Транзистор IKW50N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Транзистор STGW60V60DF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 60 А Pd25: 375 Вт
Транзистор IKW75N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Транзистор FGH40N60SFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Транзистор IRGP4063DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Транзистор IHW40N60RF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт

Технічні характеристики

Производитель Renesas Electronics Corporation (RENESAS)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±30 V
Макс. ток коллектора (25°C) 90 А
Макс. ток коллектора (100°C) 50 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 90 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 328.9 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (89Kb)

Зображення товару

Транзистор RJH60F7DPQ-A0

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Подивитися більше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.