ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товару:
035925

Транзистор MBQ60T65PES

IGBT 60A 650V 
Транзистор MBQ60T65PES
Корпус: TO247
Виробник: MAGNACHIP
Товар в наявності
107,10 грн × = 107,10 грн
від 1 шт. : — 107,10 грн
від 10 шт. : — 99,07 грн ( -7,5%)
від 30 шт. : — 91,03 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
91 шт.
Для Інтернет-Замовлень
91 шт.

Схожі товари

Транзистор FGA50T65SHD Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 319 Вт
Транзистор SGT60N60FD1PN Корпус: TO3P структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 321 Вт
Транзистор NGTB50N60FLWG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 223 Вт
Транзистор NGTB50N60FL2WG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 417 Вт
Транзистор FGH60N60UFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 298 Вт
Транзистор CRG60T60AN3H Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 403 Вт
Транзистор YGW60N65T1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 312 Вт
Транзистор IKW75N65EH5 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 395 Вт
Транзистор IRGP4068DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Транзистор FGH60N60SFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 378 Вт
Транзистор IKW50N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Транзистор RJH60F7DPQ-A0 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 90 А Ic100: 50 А Pd25: 328.9 Вт
Транзистор FGH60N60SMD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 600 Вт

Технічні характеристики

Производитель MAGNACHIP
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 100 А
Макс. ток коллектора (100°C) 60 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 60 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 30 А
Мощность рассеяния при 25°C 428 Вт
Рабочая температура -40°C ... +175°C
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (584Kb)

Зображення товару

Транзистор MBQ60T65PES

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Подивитися більше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.