ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активні компонентиТранзистори, модуліIGBT транзистори і модулі
Код товара:
033404

Транзистор GT50JR22

IGBT+Diode 600V 50A
Транзистор GT50JR22
Корпус: TO-3PN
Виробник: TOSHIBA
Товар в наявності
75,24 грн × = 75,24 грн
від 1 шт. : 75,24 грн
від 5 шт. : 69,59 грн ( -7,5%)
від 25 шт. : 63,95 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
59 шт.
Для Інтернет-Замовлень
59 шт.

Очікується: (New)

2025-04-01 [8дн.]:
240 шт.

Схожі товари


Технічні характеристики

Производитель TOSHIBA
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±25 V
Макс. ток коллектора (25°C) 50 А
Макс. ток коллектора (100°C) 44 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 350 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 230 Вт
Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП sensrv.voron@gmail.com

З цим товаром купують: Посмотреть больше…