ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register
Search:

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog Active ingredientsTransistors, modulesIGBT transistors and modules
Product code:
033404

Transistor GT50JR22

IGBT+Diode 600V 50A
Transistor GT50JR22
Case: TO-3PN
Manufacturer: TOSHIBA
In stock
75,24 UAH × = 75,24 UAH
from 1 pc : 75,24 UAH
from 5 pcs : 69,59 UAH ( -7,5%)
from 25 pcs : 63,95 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
59 pcs
For Online Orders
59 pcs

Expected: (New)

2025-04-01 [10дн.]:
240 pcs

Similar products


Specifications

Производитель TOSHIBA
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±25 V
Макс. ток коллектора (25°C) 50 А
Макс. ток коллектора (100°C) 44 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 350 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 230 Вт
The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.

If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП sensrv.voron@gmail.com

Buy with this product: View more…