ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
024162

Transistor IRF840PBF

N-ch Vds=500V Id25=8A Rds=0.85R
Transistor IRF840PBF
Корпус: TO220
Manufacturer: Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
In stock
31,50 UAH × = 31,50 UAH
from 1 pc : — 31,50 UAH
from 50 pcs : — 29,92 UAH ( -5,0%)
from 200 pcs : — 28,35 UAH ( -10,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
819 pcs
For Online Orders
819 pcs

Similar products

Transistor IRFB9N65APBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 650 V Id25: 8.5 А Rds2510V: 0.93 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFS9N60ATRLPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 9.2 А Rds2510V: 0.75 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFB9N60APBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 9.2 А Rds2510V: 0.75 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор SMF8N65 Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 650 V Id25: 8 А Rds2510V: 1.1 Ом VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 500 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 8 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 5.1 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 0.85 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 125 Вт
Qg - заряд затвора 6.3e-8
Рабочая температура -55°C

Technical documentation

ОписаниеОписание (281Kb)

Изображение товара

Transistor IRF840PBF

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.