ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Online store
УКР РУС ENG
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register

Шановні клієнти інтернет-магазину!


 Можливі тимчасові затримки відвантаження товарів транспортними компаніями. Термін відправки після отримання оплати до 4 робочих днів. Вибачте за незручності.

Все Новости
Search:
arrow_drop_down
close
search Search

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

New items All New Items...

Recommended All…

Product code:
025333

Transistor IRFS9N60ATRLPBF

N-Channel MOSFET 600V, 9.2A, 0.75Ω
Transistor IRFS9N60ATRLPBF
Case: D2PAK
Manufacturer: Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
In stock
50,40 UAH × = 50,40 UAH
from 1 pc : — 50,40 UAH
from 10 pcs : — 47,88 UAH ( -5,0%)
from 100 pcs : — 45,36 UAH ( -10,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
74 pcs
For Online Orders
74 pcs

Similar products

Transistor IRFB9N65APBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 650 V Id25: 8.5 А Rds2510V: 0.93 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRF840PBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 500 V Id25: 8 А Rds2510V: 0.85 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
FQPF bipolar10N60C Package: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 9.5 А Rds2510V: 0.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFB9N60APBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 9.2 А Rds2510V: 0.75 Ом VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 9.2 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 5.8 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 0.75 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 170 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (222Kb)

Product picture

Transistor IRFS9N60ATRLPBF

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

  • Василь в A year ago shopping_cartalready bought share

    доброго дня дайте будь ласка розмір цього елемента самої пласмаси

    Is the review helpful?
The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: View more…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.