ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ IGBT транзистори і модулі

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товару:
049845

Транзистор STGB19NC60KDT4

20 A, 600 V short-circuit rugged IGBT
Транзистор STGB19NC60KDT4
Корпус: D2PAK
Виробник: ST Microelectronics (STM)
Товар в наявності
63,00 грн × = 63,00 грн
від 1 шт. : — 63,00 грн
від 10 шт. : — 58,27 грн ( -7,5%)
від 50 шт. : — 53,55 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
22 шт.
Для Інтернет-Замовлень
22 шт.

Очікується: (New)

2024-11-29 [7дн.]:
50 шт.

Схожі товари

Транзистор FGP15N60UNDF Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 178 Вт
Транзистор STGB15M65DF2 Корпус: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 136 Вт
Транзистор STGP19NC60KD Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 20 А Pd25: 125 Вт
Транзистор IKW20N60T Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Транзистор STGB20M65DF2 Корпус: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Транзистор XNF15N60T Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25:
Транзистор IRGB10B60KDPBF Корпус: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 19 А Pd25: 156 Вт
Транзистор FGPF15N60UNDF Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 42 Вт
Транзистор FGB20N60SFD Корпус: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 208 Вт
Транзистор STGF15H60DF Корпус: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 30 Вт

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус D2PAK
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 35 А
Макс. ток коллектора (100°C) 20 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 20 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 31 / 50 нс
Мощность рассеяния при 25°C 125 Вт
Рабочая температура -55°C ... +150°C

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (1330Kb)

Зображення товару

Транзистор STGB19NC60KDT4

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Подивитися більше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.