ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активные компонентыДиоды мосты сборкиДиоды
Диоды

Фильтр параметров

Корпус:
SOD323 ×
Тип Диода:
Диод Шоттки ×
Производитель
Корпус
тип
структура
схема
Iраб
Uобр.
монтаж
быстр.
trr
Imax
VF, 25 °C
IR, 25 °C
Pd25
tраб.
упаковка
упаковка
Показано товаров: с 1 по 1 (1 всего)
В наличии
Акционные
Уцененные
Кодphoto_camera
Наименование
Остатки
Цена
shopping_cart
Бренд
тип
структура
схема
1
Iраб
×
2
Uобр.
×
trr
Корпус
029028
Диод Шоттки 1N5819WS
Диод Шоттки 1N5819WS
40V 1A
всего: 1589 шт.
маг ДП: 1589 шт.
50:
500:
3000:
0,504грн
0,403грн
0,302грн
Диод ШотткиDiodeОдиночный1 А40 VSOD323
Выпрямительные диоды — диоды, предназначенные для преобразования переменного тока в постоянный.
Частотный диапазон выпрямительных диодов невелик. При преобразовании промышленного переменного тока рабочая частота составляет 50 Гц, предельная частота выпрямительных диодов не превышает 20 кГц.
Время восстановления обратного сопротивления базы диода — это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое. У выпрямительных диодов как правило составляет более 500 нс.


Условно к быстрым диодам можно отнести выпрямительные диоды с временем восстановления обратного сопротивления базы не более 500 нс. 


Диод Шоттки — полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Назван в честь немецкого физика Вальтера Шоттки. В специальной литературе часто используется более полное название — Диод с барьером Шоттки (ДШБ).
В диодах Шоттки в качестве барьера Шоттки используется переход металл-полупроводник, в отличие от обычных диодов, где используется p-n переход. Переход металл-полупроводник обладает рядом особенных свойств (отличных от свойств полупроводникового p-n перехода). К ним относятся: пониженное падение напряжения при прямом включении, высокий ток утечки, очень маленький заряд обратного восстановления. Последнее объясняется тем, что по сравнению с обычным p-n переходом у таких диодов отсутствует диффузия, связанная с инжекцией неосновных носителей, т.е. они работают только на основных носителях, а их быстродействие определяется только барьерной емкостью.

* с полной версией статьи можно ознакомиться по ссылке
Найдено товаров:
Выбирай значения только в одном
фильтре, затем нажми Показать
Развернуть фильтр