ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активні компоненти ↠ Транзистори, модулі ↠ Польові транзистори

Новинки Всі Новинки...

Рекомендовані Усі…

Код товара:
049661

Транзистор JCS2N60V

N-Channel Power MOSFET, 1.9A 600V RDS(on) 3.8Ω
Транзистор JCS2N60V
Корпус: I-PAK
Виробник: Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
Товар в наявності
11,55 грн × = 11,55 грн
від 1 шт. : — 11,55 грн
від 20 шт. : — 10,39 грн ( -10,0%)
від 80 шт. : — 9,82 грн ( -15,0%)

Поточні залишки:

Магазин-Днепр
495 шт.
Для Інтернет-Замовлень
495 шт.

Схожі товари

Транзистор CJD02N60 Корпус: I-PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор FQP2N60C Корпус: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор CJU02N60 Корпус: TO252-2L структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 4.4 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор SVF2N60F Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.7 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор FQPF2N60C Корпус: TO220F структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 2 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V
Транзистор FQD2N60CTM Корпус: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 600 V Id25: 1.9 А Rds2510V: 3.6 Ом VGS(th): 2 ... 4 V

Технічні характеристики

Производитель Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
Корпус I-PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 600 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±30 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 1.9 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 1.1 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.8 Ом
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 44 Вт

Технічна документація

Файл с описаниемФайл с описанием (1297Kb)

Изображение товара

Транзистор JCS2N60V

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.
Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

З цим товаром купують: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.