ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:

Для пошуку введіть текст або натисніть на значок мікрофона і почніть говорити.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активні компонентиТранзистори, модуліIGBT транзистори і модулі
Код товару:
MS-STGB30H60DFB

STGB30H60DFB

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STGB30H60DFB
Корпус: D2PAK-3
Виробник: ST Microelectronics (STM)
НЕМАЄ в наявності.
Очікувана ціна: 81,12 грн
від 1 шт. : 81,12 грн
Ціни вказані на момент наявності товару і можуть змінитися при його надходженні

Поточні залишки:

НЕМАЄ в наявності

Технічні характеристики

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус D2PAK-3
Структура [Single]
Мощность рассеяния при 25°C 260 Вт
Рабочая температура -55°C

Технічна документація

Зображення товару

Залишіть свій відгук або запитайте

Тут обговорюється лише цей товар. Коментарі не будуть видалені! Будь ласка, дотримуйтесь Правил коментування.

Дані, представлені в описі товару є довідковими і можуть відрізнятися від зазначених виробником.
Для проведення технічних розрахунків і отримання точних параметрів товару використовуйте даташіти з сайту виробника.

Якщо Вам потрібна додаткова інформація, або ви виявили в описі помилку, або є інші питання з цього товару, то Вам допоможе Евгений ЗП unknown

Последние просмотренные товары Посмотреть Последние...