ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!


 Можливі тимчасові затримки відвантаження товарів транспортними компаніями. Термін відправки після отримання оплати до 4 робочих днів. Вибачте за незручності.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
039203

Транзистор SGT60N60FD1PN

60A，600V，Field Stop IGBT
Транзистор SGT60N60FD1PN
Корпус: TO3P
Производитель: SILAN
Товар в наличии
84,00 грн × = 84,00 грн
от 1 шт. : — 84,00 грн
от 10 шт. : — 75,60 грн ( -10,0%)
от 30 шт. : — 71,40 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
1 шт.
Для Интернет-Заказов
1 шт.

Ожидается: (New)

2024-12-16 [20дн.]:
150 шт.

Похожие товары

Транзистор NGTB50N60FL2WG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 417 Вт
Транзистор FGA50T65SHD Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 319 Вт
Транзистор NGTB50N60FLWG Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 223 Вт
Транзистор FGH60N60UFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 298 Вт
Транзистор MBQ60T65PES Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 60 А Pd25: 428 Вт
Транзистор YGW60N65T1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 312 Вт
Транзистор FGH60N60SFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 378 Вт
Транзистор IKW50N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Транзистор IRGP4066D-EPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 140 А Ic100: 90 А Pd25: 454 Вт
Транзистор FGH60N60SMD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 600 Вт

Технические характеристики

Производитель SILAN
Корпус TO3P
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 120 А
Макс. ток коллектора (100°C) 60 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 38 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 321 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Изображение товара

Транзистор SGT60N60FD1PN

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.