ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог Активные компонентыТранзисторы, модулиIGBT транзисторы и модули
Код товара:
049849

Транзистор TGAN80N65F2DS

650V, 80A IGBT+DIODE
Транзистор TGAN80N65F2DS
Корпус: TO-3PN
Производитель: TRINNO
Товар в наличии
150,50 грн × = 150,50 грн
от 1 шт. : 150,50 грн
от 10 шт. : 139,20 грн ( -7,5%)
от 30 шт. : 127,90 грн ( -15,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
2 шт.
Для Интернет-Заказов
2 шт.

Ожидается: (New)

2025-04-05 [7дн.]:
120 шт.

Похожие товары


Технические характеристики

Производитель TRINNO
Корпус TO-3PN
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 160 А
Макс. ток коллектора (100°C) 80 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 80 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 62 / 168 нс
Мощность рассеяния при 25°C 577 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт
Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.

Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП sensrv.voron@gmail.com

С этим товаром покупают: Посмотреть больше…