Shown goods: from 1 to 50 (237 всего)
В наличии
Promotions
Discounted
| Код | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 049692 |  | Diode 5mA 16kV 0.08ms | всего: 115 pcs маг ДП: 115 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 5 мА | 16 kV | 80 нс | DO312 | ||||
| 037666 |  | Diode 5kV 20mA 100ns | всего: 116 pcs маг ДП: 116 pcs |
| EIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 20 мА | 5 kV | 100 нс | DO41 | |||
| 016327 |  | Schottky diode 2X0.2A 30V common anode | всего: 7720 pcs маг ДП: 7720 pcs |
| Диод Шоттки | 2 Diode | Общий анод | 0.2 А | 30 V | SOT23 | |||||
| 026721 |  | Schottky diode 0.2A 30V SOT23 Single | всего: 7110 pcs маг ДП: 1110 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 0.2 А | 30 V | SOT23 | |||||
| 003417 |  | Diode LL VR = 75V, IF = 200mA, IFRM = 450mA, IFSM = 4A t = 4ns | всего: 31200 pcs маг ДП: 3700 pcs |
| SEMTECH | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.2 А | 75 V | 4 нс | SOD80C | |||
| 026725 | | Diode 0.2A 100V 15ns serial connection | всего: 820 pcs маг ДП: 820 pcs |
| TASUND | Быстрый диод | 2 Diode | Полумост | 0.2 А | 100 V | 15 нс | SOT23 | |||
| 027650 |  | Diode 0.2A 100V | всего: 96265 pcs маг ДП: 1265 pcs |
| SEMTECH | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.2 А | 100 V | 4 нс | DO35 | |||
| 005836 | | Diode 0.2A 250V 50ns | всего: 12048 pcs маг ДП: 12048 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.2 А | 250 V | 50 нс | DO35 | ||||
| 027575 | | Diode Two diodes with a common anode. Vr = 75V, If = 215mA Cd = 2pF trr = 4ns, High-speed switching diodes | всего: 13650 pcs маг ДП: 1650 pcs |
| Быстрый диод | 2 Diode | Общий анод | 0.215 А | 75 V | 4 нс | SOT23 | ||||
| 004006 |  | Diode Two diodes with a common cathode. Vr = 75V, If = 215mA Cd = 1.5pF trr = 4ns, High-speed switching diodes | всего: 8160 pcs маг ДП: 8160 pcs |
| Быстрый диод | 2 Diode | Общий катод | 0.215 А | 100 V | 4 нс | SOT23 | ||||
| 031507 |  | Diode Diode assembly two half-bridge 300V 225MA 50ns | всего: 304 pcs маг ДП: 304 pcs |
| DIODES | Быстрый диод | 4 Diode | 2 полумоста | 0.225 А | 300 V | 50 нс | SOT23-6 | |||
| 023535 |  | Diode 0.15A 100V 4ns 200mW | всего: 16225 pcs маг ДП: 16225 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.3 А | 100 V | 4 нс | SOD323 | ||||
| 032970 |  | Diode | всего: 7880 pcs маг ДП: 7880 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 0.3 А | 100 V | 4 нс | SOD523 | ||||
| 037086 |  | Diode 0.35A 12kV is used in magnetron power circuits, for microwave ovens | всего: 51 pcs маг ДП: 51 pcs |
| SK | Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 0.35 А | 12 kV | |||||
| 029211 | | Diode 225mA 250V 50ns serial connection | всего: 1390 pcs маг ДП: 1390 pcs |
| CJ | Быстрый диод | 2 Diode | Полумост | 0.4 А | 200 V | 50 нс | SOT23 | |||
| 002105 |  | Schottky diode 20V 1A/25Ap | всего: 22890 pcs маг ДП: 3890 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 20 V | DO41 | ||||
| 007209 |  | Schottky diode Schottky diode 1A 20V | всего: 3790 pcs маг ДП: 3790 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 20 V | SMA | |||||
| 007194 | | Schottky diode 30V 1A/25Ap | всего: 5619 pcs маг ДП: 5619 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 30 V | DO41 | ||||
| 004808 | | Schottky diode 40V 1A/25Ap | всего: 27249 pcs маг ДП: 3249 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | DO41 | ||||
| 006661 |  | Schottky diode Schottky diode 1A 40V | всего: 7752 pcs маг ДП: 3752 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | SMA | |||||
| 036057 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 40V. | всего: 5795 pcs маг ДП: 2795 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 40 V | SOD523 | |||||
| 029199 | | Diode | всего: 30151 pcs маг ДП: 151 pcs |
| MIC | Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 50 V | DO41 | ||||
| 004240 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 60B | всего: 11540 pcs маг ДП: 11540 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 60 V | SMA | |||||
| 029196 | | Schottky diode 1A 60V | всего: 7380 pcs маг ДП: 7380 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 60 V | DO41 | ||||
| 016328 | | Schottky diode Schottky diode 1A, 80B | всего: 9130 pcs маг ДП: 9130 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 80 V | SMA | |||||
| 029198 | | Schottky diode 1A 100V | всего: 6500 pcs маг ДП: 6500 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 100 V | DO41 | ||||
| 030739 |  | Schottky diode 1A 100V | всего: 5720 pcs маг ДП: 5720 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1 А | 100 V | SMA | |||||
| 007175 |  | Diode 1A 400V 35ns | всего: 30157 pcs маг ДП: 12157 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 400 V | 35 нс | DO41 | ||||
| 029200 | | Diode | всего: 34320 pcs маг ДП: 4320 pcs |
| MIC | Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 400 V | DO41 | ||||
| 005635 |  | Diode 1A 600V 35ns | всего: 20170 pcs маг ДП: 2170 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 600 V | 35 нс | DO41 | ||||
| 006780 |  | Diode 1A 600V 150ns | всего: 17490 pcs маг ДП: 5490 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 600 V | 150 нс | DO41 | ||||
| 004328 |  | Diode 1A 1000V | всего: 10420 pcs маг ДП: 2420 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 1.8 мкс | SMA | ||||
| 005903 |  | Diode 1A 1000V 75ns | всего: 17530 pcs маг ДП: 4530 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 75 нс | DO41 | ||||
| 006200 |  | Diode 1A 1000V | всего: 8230 pcs маг ДП: 8230 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | R-1 | |||||
| 011731 | | Diode 1A 1000V | всего: 3530 pcs маг ДП: 3530 pcs |
| MIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 500 нс | DO41 | |||
| 016666 | | Diode 1A 1000V 75ns | всего: 25400 pcs маг ДП: 1400 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 75 нс | SMA | ||||
| 029185 | | Diode | всего: 23474 pcs маг ДП: 3474 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 75 нс | DO41 | ||||
| 034313 |  | Diode 1000V 1A 500ns | всего: 8400 pcs маг ДП: 8400 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 500 нс | SOD123-FL | ||||
| 036055 |  | Diode 1A, 1000V | всего: 24100 pcs маг ДП: 24100 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | SMAF | |||||
| 037637 | | Diode 1A 1000V | всего: 13800 pcs маг ДП: 13800 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 500 нс | SOD123-FL | ||||
| 037643 | | Diode | всего: 17850 pcs маг ДП: 17850 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1 А | 1 kV | 70 нс | SMAF | ||||
| 007192 | | Schottky diode 1.1A 100V | всего: 177 pcs маг ДП: 177 pcs |
| IR | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 1.1 А | 100 V | DO204AL | ||||
| 003416 |  | Diode 2A 1000V | всего: 15270 pcs маг ДП: 270 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1.5 А | 1 kV | 2 мкс | SMB | ||||
| 007184 | | Diode 1.5A 1000V 500ns | всего: 9641 pcs маг ДП: 641 pcs |
| MIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 1.5 А | 1 kV | 250 нс | DO15 | |||
| 029191 | | Diode | всего: 19270 pcs маг ДП: 19270 pcs |
| Выпрямительный диод | Diode | Одиночный | 1.5 А | 1 kV | SMA | |||||
| 029195 | | Schottky diode 2A 100V | всего: 3150 pcs маг ДП: 3150 pcs |
| MIC | Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 2 А | 100 V | DO15 | ||||
| 030740 | | Schottky diode 2A 100V | всего: 5278 pcs маг ДП: 2278 pcs |
| Диод Шоттки | Diode | Одиночный | 2 А | 100 V | SMB | |||||
| 013954 | | Diode 2A 400V 35ns | всего: 13870 pcs маг ДП: 7870 pcs |
| MIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 2 А | 400 V | 35 нс | DO15 | |||
| 003427 | | Diode 2A 600V 35ns | всего: 16970 pcs маг ДП: 1970 pcs |
| MIC | Быстрый диод | Diode | Одиночный | 2 А | 600 V | 35 нс | DO15 | |||
| 004099 | | Diode 2A 800V 75ns | всего: 10466 pcs маг ДП: 4466 pcs |
| Быстрый диод | Diode | Одиночный | 2 А | 800 V | 75 нс | DO15 |
Rectifier diodes- diodes designed to convert alternating current into direct current.
The frequency range of the rectifier diodes is small. When converting industrial alternating current, the operating frequency is 50 Hz, the limiting frequency of the rectifier diodes does not exceed 20 kHz.
The recovery time of the reverse resistance of the base of a diode is a transient process that occurs when the diode switches from a conducting state (direct) to a closed state. Rectifier diodes are typically over 500 ns.
Conditionally tofast diodesinclude rectifier diodes with a base reverse resistance recovery time of no more than 500 ns.
Schottky diode- semiconductor diode with low voltage drop during direct connection. Named after the German physicist Walter Schottky. In the special literature, a more complete name is often used - Schottky Barrier Diode (DSB).
Schottky diodes use a metal-semiconductor junction as a Schottky barrier, unlike conventional diodes, which use a pn junction. A metal-semiconductor junction has a number of special properties (different from the properties of a semiconductor p-n junction). These include: low forward voltage drop, high leakage current, very low reverse recovery charge. The latter is explained by the fact that, in comparison with the conventional p-n junction, such diodes have no diffusion associated with the injection of minority carriers, i.e. they work only on the main carriers, and their performance is determined only by the barrier capacity.
* the full version of the article can be found atlink
The frequency range of the rectifier diodes is small. When converting industrial alternating current, the operating frequency is 50 Hz, the limiting frequency of the rectifier diodes does not exceed 20 kHz.
The recovery time of the reverse resistance of the base of a diode is a transient process that occurs when the diode switches from a conducting state (direct) to a closed state. Rectifier diodes are typically over 500 ns.
Conditionally tofast diodesinclude rectifier diodes with a base reverse resistance recovery time of no more than 500 ns.
Schottky diode- semiconductor diode with low voltage drop during direct connection. Named after the German physicist Walter Schottky. In the special literature, a more complete name is often used - Schottky Barrier Diode (DSB).
Schottky diodes use a metal-semiconductor junction as a Schottky barrier, unlike conventional diodes, which use a pn junction. A metal-semiconductor junction has a number of special properties (different from the properties of a semiconductor p-n junction). These include: low forward voltage drop, high leakage current, very low reverse recovery charge. The latter is explained by the fact that, in comparison with the conventional p-n junction, such diodes have no diffusion associated with the injection of minority carriers, i.e. they work only on the main carriers, and their performance is determined only by the barrier capacity.
* the full version of the article can be found atlink
