Код | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | |||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
038608 | Transistor N-ch 30V 260A 1.95mOhm | всего: 177 pcs маг ДП: 177 pcs |
| IR | N | Одиночный | 30 V | 260 А | 1.6 мОм | 230 Вт | ||||
024276 | Transistor Field-effect transistor N-Channel Logic level Vdss = 40 V; Rds = 56 mΩ; Id25°C = 3.6 A; Id70°C = 2.9 A; R°C/W = 100°C/W; Pd = 1.3W | всего: 729 pcs маг ДП: 729 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 3.6 А | 78 мОм | 1.3 Вт | ||||
024851 | Transistor N+P chanel 40V; 12/8.8A ; 50/99mOm ; 3W | всего: 88 pcs маг ДП: 88 pcs |
| NIKO-SEM | N + P | Общий сток | 40 / -40 V | 12 / -8.8 А | 26 / 47 мОм | 3 Вт | ||||
017048 | Transistor Dual N+P-Channel MOSFET 40V 16A -40V -12A | всего: 103 pcs маг ДП: 103 pcs |
| N + P | Общий сток | 40 / -40 V | 16 / -12 А | 22 / 40 мОм | 11 Вт | |||||
047737 | Transistor P-ch -40V -50A 12mOhm | всего: 239 pcs маг ДП: 239 pcs |
| UMW | P | Одиночный | -40 V | -50 А | 10.1 мОм | 69 Вт | ||||
018101 | Transistor N-ch 40V 54A Rds=8.5mOhm Logic Level | всего: 300 pcs маг ДП: 300 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 40 V | 54 А | 7 мОм | 3.8 Вт | ||||
024843 | Transistor P-ch -40V -50A 12.3mOhm | всего: 234 pcs маг ДП: 234 pcs |
| ONS | P | Одиночный | -40 V | -58 А | 12.3 мОм | 69 Вт | ||||
041014 | Transistor | всего: 293 pcs маг ДП: 293 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 60 А | 7.3 мОм | 65 Вт | ||||
041015 | Transistor | всего: 51 pcs маг ДП: 51 pcs |
| ONS | N | Одиночный | 40 V | 100 А | 1.13 мОм | 104 Вт | ||||
045922 | Transistor N-cn 40V 120A 2.7mΩ | всего: 133 pcs маг ДП: 133 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 120 А | 2.7 мОм | 105 Вт | ||||
045919 | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 115 pcs маг ДП: 115 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | ||||
045921 | Transistor N-ch 40V 130A 3mΩ | всего: 128 pcs маг ДП: 128 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 130 А | 3 мОм | 105 Вт | ||||
024259 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=120A Rds=2mOhm | всего: 97 pcs маг ДП: 97 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 172 А | 2 мОм | 143 Вт | ||||
039305 | Transistor | всего: 68 pcs маг ДП: 68 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 204 А | 1.6 мОм | 125 Вт | ||||
015936 | Transistor VDSS = 40V RDS(on) = 3.6mΩ ID = 210A | всего: 76 pcs маг ДП: 76 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 3 мОм | 330 Вт | ||||
042156 | Transistor N-ch 40V 210A 2.2mΩ | всего: 374 pcs маг ДП: 374 pcs |
| NCE | N | Одиночный | 40 V | 210 А | 1.6 мОм | 310 Вт | ||||
045176 | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 170 pcs маг ДП: 170 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | ||||
045177 | Transistor N-ch 40V 250A 2.3mΩ | всего: 121 pcs маг ДП: 121 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2.3 мОм | 288 Вт | ||||
045178 | Transistor N-ch 40V 250A 2mΩ | всего: 43 pcs маг ДП: 43 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 2 мОм | 336 Вт | ||||
047521 | Transistor N-ch 40V 290A 1.2mΩ | всего: 50 pcs маг ДП: 50 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 40 V | 250 А | 1.2 мОм | 250 Вт | ||||
025096 | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 75A, 2mΩ | всего: 103 pcs маг ДП: 103 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 270 А | 1.5 мОм | 300 Вт | ||||
009891 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=75A Rds=2mOhm | всего: 127 pcs маг ДП: 127 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 280 А | 1.5 мОм | 330 Вт | ||||
038315 | Transistor N-Channel 40V 300A 429W | всего: 8 pcs маг ДП: 8 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 40 V | 300 А | 0.53 мОм | 429 Вт | ||||
024166 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.4mOhm | всего: 82 pcs маг ДП: 82 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 340 А | 1.4 мОм | 380 Вт | ||||
024532 | Transistor N-Channel MOSFET 40V, 195A, 1.4mΩ, Logic-level | всего: 81 pcs маг ДП: 81 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 343 А | 1.4 мОм | 375 Вт | ||||
024270 | Transistor N-ch Vds=40V Id25=195A Rds=1.35mOhm | всего: 36 pcs маг ДП: 36 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 1.35 мОм | 380 Вт | ||||
045924 | Transistor N-Channel 40V 350A 0.82mΩ | всего: 58 pcs маг ДП: 58 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 40 V | 350 А | 0.82 мОм | 250 Вт | ||||
039349 | Transistor N CH 40V 195A 1.3mOhm | всего: 14 pcs маг ДП: 14 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 404 А | 1 мОм | 366 Вт | ||||
033345 | Transistor N CH 40V 195A 1.3mOhm | всего: 29 pcs маг ДП: 29 pcs |
| IR | N | Одиночный | 40 V | 409 А | 1 мОм | 375 Вт | ||||
010124 | Transistor P-Channel 45V 230mA 700mW RdsOn(Max) 14 Ohm | всего: 106 pcs маг ДП: 106 pcs |
| DIODES | P | Одиночный | -45 V | -0.23 А | 14 Ом | 0.7 Вт | ||||
010126 | Transistor N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Vdss = 50 V; RDS (ON) = 3.5Ω @ VGS = 10 V; RDS (ON) = 6.0Ω @ VGS = 4.5 V. | всего: 9225 pcs маг ДП: 9225 pcs |
| LRC | N | Одиночный | 50 V | 0.2 А | 3.5 Ом | 0.225 Вт | ||||
029849 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=2A Rds=0.14Ohm | всего: 336 pcs маг ДП: 336 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 2.8 А | 0.14 Ом | 2.1 Вт | ||||
006344 | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=55V RDS(on) max=65mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=3.1A | всего: 235 pcs маг ДП: 235 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 4.4 А | 65 мОм | 2.1 Вт | ||||
026159 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -12A, 0.175Ω | всего: 295 pcs маг ДП: 295 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -12 А | 0.175 Ом | 45 Вт | ||||
024832 | Transistor 55V 17A 45W 0.07R | всего: 80 pcs маг ДП: 80 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 17 А | 70 мОм | 45 Вт | ||||
026846 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 17A, 0.065Ω | всего: 358 pcs маг ДП: 358 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 17 А | 65 мОм | 45 Вт | ||||
024171 | Transistor N-LogL 55V 18A 45W 0.06R | всего: 230 pcs маг ДП: 230 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 18 А | 60 мОм | 45 Вт | ||||
029172 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-18A Rds=0.11Ohm | всего: 158 pcs маг ДП: 158 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -18 А | 0.11 Ом | 57 Вт | ||||
026158 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -19A, 0.1Ω | всего: 287 pcs маг ДП: 287 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -19 А | 0.1 Ом | 68 Вт | ||||
025109 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -20A, 0.093Ω | всего: 230 pcs маг ДП: 230 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -20 А | 93 мОм | 79 Вт | ||||
033776 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 25A, 37mΩ | всего: 157 pcs маг ДП: 157 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 25 А | 30 мОм | 57 Вт | ||||
026153 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 29A, 0.04Ω | всего: 261 pcs маг ДП: 261 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 29 А | 40 мОм | 68 Вт | ||||
024280 | Transistor N-ch 55V 30A 35mOhm Logic level | всего: 334 pcs маг ДП: 334 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 30 А | 35 мОм | 68 Вт | ||||
025097 | Transistor P-Channel MOSFET -55V, -31A, 0.06Ω | всего: 161 pcs маг ДП: 161 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 60 мОм | 110 Вт | ||||
030589 | Transistor P-ch Vds=-55V Id25=-31A Rds=60mOhm | всего: 78 pcs маг ДП: 78 pcs |
| IR | P | Одиночный | -55 V | -31 А | 60 мОм | 110 Вт | ||||
025997 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 47A, 0.022Ω | всего: 295 pcs маг ДП: 295 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 47 А | 22 мОм | 110 Вт | ||||
024275 | Transistor N-Channel Field Effect Transistor Vdss = 55V; Rds = 0.0175 Ohm; Id25°C = 49 A; Id100°C = 35 A; R°C/W = 1.4°C/W; Pd = 110W | всего: 2246 pcs маг ДП: 246 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | ||||
030586 | Transistor N-ch Vds=55V Id25=49A Rds=17.5mOhm | всего: 85 pcs маг ДП: 85 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 49 А | 17.5 мОм | 94 Вт | ||||
025103 | Transistor N-Channel MOSFET 55V, 53A, 16.5mΩ | всего: 114 pcs маг ДП: 114 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 53 А | 16.5 мОм | 107 Вт | ||||
041626 | Transistor N-CH 55V 42A 11 mOhm @ 37A, 10V | всего: 161 pcs маг ДП: 161 pcs |
| IR | N | Одиночный | 55 V | 62 А | 8.86 мОм | 91 Вт |