ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!


 Можливі тимчасові затримки відвантаження товарів транспортними компаніями. Термін відправки після отримання оплати до 4 робочих днів. Вибачте за незручності.

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Введите строку поиска или нажмите на значок микрофона и начните говорить.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Весь каталог ↠ Активные компоненты ↠ Транзисторы, модули ↠ IGBT транзисторы и модули

Новинки Все Новинки...

Рекомендуемые Все…

Код товара:
044575

Транзистор FGH80N60FD2TU

IGBT - Field Stop 600 V, 40 A.
Транзистор FGH80N60FD2TU
Корпус: TO247
Производитель: ON Semiconductor (ONS)
Товар в наличии
420,00 грн × = 420,00 грн
от 1 шт. : — 420,00 грн
от 10 шт. : — 399,00 грн ( -5,0%)
от 30 шт. : — 378,00 грн ( -10,0%)

Текущие остатки:

Магазин-Днепр
60 шт.
Для Интернет-Заказов
60 шт.

Похожие товары

Транзистор FGH40N60UFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Транзистор IKW50N65F5FKSA1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 56 А Pd25: 305 Вт
Транзистор IKW50N60TFKSA1 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Транзистор IKW75N60T Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Транзистор CRG40T60AN3H Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 280 Вт
Транзистор STGW45HF60WD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 45 А Pd25: 250 Вт
Транзистор FGH40N60SMD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 349 Вт
Транзистор STGW39NC60VD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Транзистор IHW40N60R Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Транзистор CRG40T60AK3HD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 336 Вт
Транзистор TGAN40N65F2DS Корпус: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 283 Вт
Транзистор IKW75N65EH5 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 395 Вт
Транзистор IKW50N65ES5 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 60.5 А Pd25: 274 Вт
Транзистор MPBW50N65E Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 300 Вт
Транзистор IKW75N65ES5 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 80 А Pd25: 395 Вт
Транзистор MBQ40T65QESTH Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 230 Вт
Транзистор IHW40N60RF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Транзистор IRGP4068DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Транзистор STGW40NC60WD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Транзистор IRGP4069DPBF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 76 А Ic100: 50 А Pd25: 268 Вт
Транзистор STGW60V60DF Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 60 А Pd25: 375 Вт
Транзистор IKW75N60H3 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Транзистор RJH60F7DPQ-A0 Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 90 А Ic100: 50 А Pd25: 328.9 Вт
Транзистор FGH40N60SFD Корпус: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт

Технические характеристики

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 80 А
Макс. ток коллектора (100°C) 40 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 15 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 61 / 125 нс
Мощность рассеяния при 25°C 290 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Техническая документация

Файл с описаниемФайл с описанием (404Kb)

Изображение товара

Транзистор FGH80N60FD2TU

Оставьте свой отзыв или задайте вопрос

Здесь обсуждается только этот товар. Комментарии не по теме будут удалены! Пожалуйста, соблюдайте Правила комментирования.

Данные, представленные в описании товара являются справочными и могут отличаться от указанных производителем.
Для проведения технических расчетов и получения точных параметров товара используйте даташиты с сайта производителя.
Если Вам нужна дополнительная информация, или вы обнаружили в описании ошибку, или есть другие вопросы по этому товару, то Вам поможет Евгений ЗП unknown



Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.