Shown goods: from 251 to 300 (542 total)
In stock
Promotions
Discounted
| Code | photo_camera | Remains | shopping_cart | 1 | 2 | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 030621 |  | Transistor P-ch Vds= -100V Id25= -3.1A Rds=1.2Ohm | total: 140 pcs маг ДП: 140 pcs |
| VISHAY | P | Одиночный | -100 V | -3.1 А | 1.2 Ом | 25 Вт | |||
| 030620 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=4.3A Rds=0.54Ohm | total: 43 pcs маг ДП: 43 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 4.3 А | 0.54 Ом | 25 Вт | |||
| 025101 | | Transistor N-Channel MOSFET 100V, 9.4A, 0.21Ω | total: 369 pcs маг ДП: 369 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 9.4 А | 0.21 Ом | 48 Вт | |||
| 025337 |  | Transistor P-Channel MOSFET -100V, -13A, 0.205Ω | total: 98 pcs маг ДП: 98 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -13 А | 0.205 Ом | 66 Вт | |||
| 027604 |  | Transistor Vdss = -100 V; Rds = 0.2 ohm; Id25°C = -14 A; Id100°C = -10 A; R°C/W = 1.9°C/W; Pd = 79W | total: 4 pcs маг ДП: 4 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -14 А | 0.2 Ом | 79 Вт | |||
| 037599 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=14A Rds=0.16Ohm | total: 75 pcs маг ДП: 75 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 100 V | 14 А | 0.16 Ом | 88 Вт | |||
| 031001 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=16A Rds=0.115Ohm | total: 54 pcs маг ДП: 54 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 16 А | 0.115 Ом | 79 Вт | |||
| 021715 |  | Transistor N-ch 100V 17A Rds=0.105R Logic Level | total: 199 pcs маг ДП: 199 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 17 А | 0.105 Ом | 79 Вт | |||
| 024245 |  | Transistor N-ch Vds=100V Id25=18A Rds=72.5mOhm | total: 1 pc маг ДП: 1 pc |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 18 А | 58 мОм | 60 Вт | |||
| 044056 | | Transistor STP24NF10 | total: 128 pcs маг ДП: 128 pcs |
| VBSEMI | N | Одиночный | 100 V | 18 А | 92 мОм | 105 Вт | |||
| 044365 | | Transistor N-ch 100V 18A 0.127Ω | total: 62 pcs маг ДП: 62 pcs |
| VBSEMI | N | Одиночный | 100 V | 18 А | 0.127 Ом | 105 Вт | |||
| 047967 | | Transistor N-ch 100V 18A 0.127Ω | total: 97 pcs маг ДП: 97 pcs |
| JSMSEMI | N | Одиночный | 100 V | 18 А | 0.127 Ом | 105 Вт | |||
| 005800 | | Transistor P-ch Vds=-100V Id25=-19A Rds=0.2Ohm | total: 175 pcs маг ДП: 175 pcs |
| VISHAY | P | Одиночный | -100 V | -19 А | 0.2 Ом | 150 Вт | |||
| 009950 |  | Transistor P-ch Vds=-100V Id25= -23A Rds=117mOhm | total: 52 pcs маг ДП: 52 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -23 А | 0.117 Ом | 110 Вт | |||
| 009999 |  | Transistor P-Channel MOSFET -100V, -23A, 0.117Ω | total: 41 pcs маг ДП: 41 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -23 А | 0.117 Ом | 140 Вт | |||
| 046127 | | Transistor P-ch Vds=-100V Id25=-23A Rds=0.117Ohm | total: 133 pcs маг ДП: 133 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -23 А | 0.117 Ом | 140 Вт | |||
| 009905 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=33A Rds=44mOhm | total: 1494 pcs маг ДП: 1494 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 100 V | 33 А | 44 мОм | 130 Вт | |||
| 009906 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=33A Rds=44mOhm | total: 141 pcs маг ДП: 141 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 33 А | 44 мОм | 130 Вт | |||
| 029169 |  | Transistor FQB33N10LTM N-ch Vds=100V Id25=33A Rds=52mOhm | total: 19 pcs маг ДП: 19 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 100 V | 33 А | 39 мОм | 127 Вт | |||
| 029395 |  | Transistor N-ch Vds=100V Id25=33A Rds=52mOhm | total: 84 pcs маг ДП: 84 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 33 А | 52 мОм | 140 Вт | |||
| 033362 | | Transistor N-CH 100V 36A 26.5 mOhm | total: 344 pcs маг ДП: 344 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 36 А | 21 мОм | 92 Вт | |||
| 029175 | | Transistor P-ch Vds=-100V Id25=-38A Rds=60mOhm | total: 97 pcs маг ДП: 97 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -38 А | 60 мОм | 170 Вт | |||
| 009900 | | Transistor P-ch Vds= -100V Id25= -40A Rds=60mOhm | total: 82 pcs маг ДП: 82 pcs |
| IR | P | Одиночный | -100 V | -40 А | 60 мОм | 200 Вт | |||
| 035532 | | Transistor N-ch 100V 42A 0.036Ω | total: 122 pcs маг ДП: 122 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 42 А | 36 мОм | 160 Вт | |||
| 038915 | | Transistor | total: 29 pcs маг ДП: 29 pcs |
| INFINEON | N | Одиночный | 100 V | 43 А | 14.7 мОм | 71 Вт | |||
| 044331 | | Transistor | total: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| VBSEMI | N | Одиночный | 100 V | 45 А | 32 мОм | 127 Вт | |||
| 004175 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=57A Rds=23mOhm | total: 135 pcs маг ДП: 135 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 57 А | 23 мОм | 200 Вт | |||
| 039348 | | Transistor N-CH 100V 57A 25mOhm | total: 74 pcs маг ДП: 74 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 57 А | 25 мОм | 200 Вт | |||
| 024257 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=59A Rds=25mOhm | total: 50 pcs маг ДП: 50 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 59 А | 25 мОм | 200 Вт | |||
| 045705 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=61A Rds=16mOhm | total: 6 pcs маг ДП: 6 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 100 V | 61 А | 14 мОм | 150 Вт | |||
| 024253 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=73A Rds=11mOhm | total: 85 pcs маг ДП: 85 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 73 А | 11 мОм | 190 Вт | |||
| 025098 | | Transistor Field-effect transistor N-Channel Vdss = 100 V; Rds = 0.014 Ohm; Id25°C = 75 A; Id100°C = 53 A; R°C/W = 0.75°C/W; Pd = 200W | total: 92 pcs маг ДП: 92 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 75 А | 11 мОм | 200 Вт | |||
| 029782 | | Transistor FDP090N10 N-ch 100V 75A 9mΩ | total: 29 pcs маг ДП: 29 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 100 V | 75 А | 7.2 мОм | 208 Вт | |||
| 029323 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=80A Rds=15mOhm | total: 76 pcs маг ДП: 76 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 80 А | 12 мОм | 260 Вт | |||
| 031089 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=80A Rds=9mOhm | total: 26 pcs маг ДП: 26 pcs |
| FAIRCHILD | N | Одиночный | 100 V | 80 А | 7.5 мОм | 310 Вт | |||
| 040229 |  | Transistor STP80NF10 N-channel 100 V, 0.012 Ω, 80 A | total: 73 pcs маг ДП: 73 pcs |
| STM | N | Одиночный | 100 V | 80 А | 12 мОм | 300 Вт | |||
| 044303 | | Transistor STB80NF10T4 N-channel 80A 100V 0.012 Ω | total: 112 pcs маг ДП: 112 pcs |
| VBSEMI | N | Одиночный | 100 V | 80 А | 12 мОм | 300 Вт | |||
| 049689 | | Transistor 100V 80A 9mΩ@10V,13.5A 188W 3V@250uA N Channel TO-220 MOSFET | total: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| HUASHUO | N | Одиночный | 100 V | 80 А | 6.6 мОм | 188 Вт | |||
| 049712 | | Транзистор SUP85N10-10-E3 N-ch 100V 85A 8.5mΩ | total: 49 pcs маг ДП: 49 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 100 V | 85 А | 8.5 мОм | 250 Вт | |||
| 024251 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=96A Rds=8mOhm | total: 75 pcs маг ДП: 75 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 96 А | 8 мОм | 250 Вт | |||
| 028904 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=97A Rds=7.2mOhm | total: 50 pcs маг ДП: 50 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 97 А | 7.2 мОм | 230 Вт | |||
| 049674 | | Transistor 100V 100A 128W 6.2mΩ@10V,15A | total: 100 pcs маг ДП: 100 pcs |
| AGM-Semi | N | Одиночный | 100 V | 100 А | 6.2 мОм | 128 Вт | |||
| 024250 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=120A Rds=4.8mOhm | total: 32 pcs маг ДП: 32 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 127 А | 4.8 мОм | 250 Вт | |||
| 024249 | | Transistor N-ch Vds=100V Id25=130A Rds=5.6mOhm | total: 64 pcs маг ДП: 64 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 130 А | 5.6 мОм | 300 Вт | |||
| 041339 | | Transistor MCB130N10Y-TP N-ch 100V 130A 4mOhm | total: 83 pcs маг ДП: 83 pcs |
| MCC | N | Одиночный | 100 V | 130 А | 4 мОм | 192 Вт | |||
| 041034 | | Transistor | total: 45 pcs маг ДП: 45 pcs |
| VISHAY | N | Одиночный | 100 V | 131 А | 4.6 мОм | 375 Вт | |||
| 015958 | | Transistor N-Channel MOSFET VDSS=100V RDS(on) max=6mΩ@VGS = 10V ID(25°C)=134A | total: 60 pcs маг ДП: 60 pcs |
| IR | N | Одиночный | 100 V | 134 А | 4.8 мОм | 280 Вт | |||
| 048476 | | Transistor N-ch 100V, 5.2mΩ, 147A | total: 106 pcs маг ДП: 106 pcs |
| CRMICRO | N | Одиночный | 100 V | 147 А | 5.2 мОм | 280 Вт | |||
| 045901 | | Transistor N-ch 100V 160A RDS(ON)=3.5mΩ(typ.) @ VGS = 10V | total: 235 pcs маг ДП: 235 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 100 V | 160 А | 3.5 мОм | 200 Вт | |||
| 045902 | | Transistor N-ch 100V 160A RDS(ON)=3.5mΩ(typ.) @ VGS = 10V | total: 180 pcs маг ДП: 180 pcs |
| HUAYI | N | Одиночный | 100 V | 160 А | 3.5 мОм | 200 Вт |
