ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
024253

Transistor IRFB4610PBF

N-ch Vds=100V Id25=73A Rds=11mOhm
Transistor IRFB4610PBF
Корпус: TO220
Manufacturer: International Rectifier (IR)
In stock
88,20 UAH × = 88,20 UAH
from 1 pc : — 88,20 UAH
from 10 pcs : — 81,58 UAH ( -7,5%)
from 50 pcs : — 74,97 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
75 pcs
For Online Orders
75 pcs

Similar products

Transistor FDP3652 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 61 А Rds2510V: 14 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor STP80NF10 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 80 А Rds2510V: 12 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor STB80NF10T4 Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 80 А Rds2510V: 12 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRF8010PBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 80 А Rds2510V: 12 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель International Rectifier (IR)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 73 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 52 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 11 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 190 Вт
Qg - заряд затвора 9.0e-8

Technical documentation

ОписаниеОписание (399Kb)

Изображение товара

Transistor IRFB4610PBF

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.