ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Online store
УКР РУС ENG
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register
Search:
arrow_drop_down
close
search Search

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

New items All New Items...

Recommended All…

Product code:
041034

Transistor SUM70060E-GE3

Transistor SUM70060E-GE3
Case: D2PAK
Manufacturer: Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
In stock
176,40 UAH × = 176,40 UAH
from 1 pc : — 176,40 UAH
from 10 pcs : — 163,20 UAH ( -7,5%)
from 100 pcs : — 149,90 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
45 pcs
For Online Orders
45 pcs

Similar products

Transistor IRFP4310ZPBF Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 134 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor NCE82H140 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 82 V Id25: 140 А Rds2510V: 4.3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFB4310PBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 130 А Rds2510V: 5.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor NCEP85T14 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 140 А Rds2510V: 3.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor FDB047N10 Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.9 мОм VGS(th): 2.5 ... 4.5 V
Transistor HYG050N08NS1P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 130 А Rds2510V: 4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFB4310ZPBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 127 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor STP110N8F6 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 110 А Rds2510V: 5.6 мОм VGS(th): 2.5 ... 4.5 V
Transistor VS8402ATH Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 160 А Rds2510V: 4.5 мОм VGS(th): 2.6 ... 3.6 V

Specifications

Производитель Vishay Intertechnology, Inc. (VISHAY)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 131 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 75 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 4.6 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 375 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (189Kb)

Product picture

Transistor SUM70060E-GE3

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown



Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.