ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товару:
004366

Transistor STP55NF06

N-ch Vds=60V Id25=50A Rds=15mOhm
Transistor STP55NF06
Корпус: TO220
Manufacturer: ST Microelectronics (STM)
In stock
21,00 UAH × = 21,00 UAH
from 1 pc : — 21,00 UAH
from 50 pcs : — 18,90 UAH ( -10,0%)
from 200 pcs : — 17,85 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
137 pcs
For Online Orders
137 pcs

Similar products

Transistor IRFZ44NSTRLPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 55 V Id25: 49 А Rds2510V: 17.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFZ46NPBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 55 V Id25: 53 А Rds2510V: 16.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor STP60NF06 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 60 V Id25: 60 А Rds2510V: 14 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFZ48NPBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 55 V Id25: 64 А Rds2510V: 14 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFB3806PBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 60 V Id25: 43 А Rds2510V: 12.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor FQP50N06 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 60 V Id25: 50 А Rds2510V: 18 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 60 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 50 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 35 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 15 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2 ... 4 V
Мощность рассеяния при 25°C 110 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Зображення товару

Transistor STP55NF06

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Подивитися більше…

Последние просмотренные товары Посмотреть Последние...




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.