ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товару:
009931

Transistor IRF7319TRPBF

Dual N- and P-Channel; Vdss = 30 V; Rds N- = 0.029 Ohm; Rds P- = 0.058 Ohm; Id25 N- = 6.5 A; Id25 P- = 4.9 A
Transistor IRF7319TRPBF
Корпус: SO8
Manufacturer: International Rectifier (IR)
In stock
29,40 UAH × = 29,40 UAH
from 1 pc : — 29,40 UAH
from 20 pcs : — 27,19 UAH ( -7,5%)
from 200 pcs : — 24,99 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
155 pcs
For Online Orders
155 pcs

Similar products

Transistor AOP605 Package: DIP8 структура: N + P схема: Независимые V(BR)DSS: 30 / -30 V Id25: 7.5 / -6.6 А Rds2510V: 22.6 / 28 мОм VGS(th): 1 ... 3 V
Transistor FDS8958A Package: SO8 структура: N + P схема: Независимые V(BR)DSS: 30 / -30 V Id25: 7 / -5 А Rds2510V: 19 / 42 мОм VGS(th): 1 ... 3 V
Transistor MT4607 Package: SO8 структура: N + P схема: Независимые V(BR)DSS: 30 / -30 V Id25: 5 / -5 А Rds2510V: 20 / 30 мОм VGS(th): 1 ... 3 V
Transistor IRF7319TRPBF Package: SO8 структура: N + P схема: Независимые V(BR)DSS: 30 / -30 V Id25: 7 / -6 А Rds2510V: 22 / 30 мОм VGS(th): 1 ... 2.5 V
Transistor MT4606 Package: SO8 структура: N + P схема: Независимые V(BR)DSS: 30 / -30 V Id25: 5 / -5 А Rds2510V: 24 / 50 мОм VGS(th): 1 ... 3 V

Specifications

Производитель International Rectifier (IR)
Корпус SO8
Структура N + P
Схема соединения Независимые
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 30 / -30 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 / ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 6.5 / -4.9 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 5.2 / -3.9 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 23 / 42 мОм
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=5V 32 / 76 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) min 1 V
Мощность рассеяния при 25°C 2 Вт
Qg - заряд затвора 2.2e-8
Рабочая температура -55°C

Technical documentation

Открыть файл с описаниемОткрыть файл с описанием (137Kb)

Зображення товару

Transistor IRF7319TRPBF

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Подивитися більше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.