ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
027220

Transistor STGW45HF60WD

45A, 600V @ TC = 100°C
Transistor STGW45HF60WD
Корпус: TO247
Manufacturer: ST Microelectronics (STM)
In stock
322,40 UAH × = 322,40 UAH
429,90 UAH
from 1 pc : — 322,40 UAH
from 5 pcs : — 298,30 UAH ( -7,5%)
from 30 pcs : — 274,10 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
4 pcs
For Online Orders
4 pcs

Expected: (New)

2025-04-01 [11дн.]:
60 pcs

Similar products

Transistor FGH40N60SMD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 349 Вт
Transistor IKW50N60TFKSA1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Transistor IKW75N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Transistor CRG40T60AN3H Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 280 Вт
Transistor IKW50N65F5FKSA1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 56 А Pd25: 305 Вт
Transistor STGW39NC60VD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Transistor SGT40N60NPFDPN Package: TO3P структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor IKW30N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 187 Вт
Transistor IKW50N65ES5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 60.5 А Pd25: 274 Вт
Transistor CRG40T60AK3HD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 336 Вт
Транзистор TGAN40N65F2DS Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 283 Вт
Транзистор NCE30TD60B Package: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 190 Вт
Transistor IHW40N60R Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт
Transistor STGW20NC60VD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 60 А Ic100: 30 А Pd25: 200 Вт
Транзистор YGW40N65F1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 188 Вт
Транзистор MPBW50N65E Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 50 А Pd25: 300 Вт
IKW transistor75N65ES5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 80 А Ic100: 80 А Pd25: 395 Вт
Transistor FGH80N60FD2TU Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor RJH60F5DPQ-A0 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 260.4 Вт
Transistor STGW40NC60WD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 70 А Ic100: 40 А Pd25: 250 Вт
Transistor IRGP4069DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 76 А Ic100: 50 А Pd25: 268 Вт
Transistor STGW60V60DF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 60 А Pd25: 375 Вт
Transistor IKW75N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 75 А Pd25: 428 Вт
Transistor FGH40N60SFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 290 Вт
Transistor IHW40N60RF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 80 А Ic100: 40 А Pd25: 305 Вт

Specifications

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 70 А
Макс. ток коллектора (100°C) 45 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 30 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 55 / 140 нс
Мощность рассеяния при 25°C 250 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт
The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП sensrv.voron@gmail.com

Reduced prices: Посмотреть больше…

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.