ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
041354

Transistor FDB047N10

Transistor FDB047N10
Корпус: D2PAK
Manufacturer: ON Semiconductor (ONS)
In stock
178,50 UAH × = 178,50 UAH
from 1 pc : — 178,50 UAH
from 10 pcs : — 165,10 UAH ( -7,5%)
from 50 pcs : — 151,70 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
11 pcs
For Online Orders
11 pcs

Similar products

Transistor IRFP4310ZPBF Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 134 А Rds2510V: 4.8 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor NCEP85T14 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 140 А Rds2510V: 3.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HY3810P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG050N08NS1P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 130 А Rds2510V: 4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG035N10NS2P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor NCE82H140 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 82 V Id25: 140 А Rds2510V: 4.3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor CRSS037N10N Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 183 А Rds2510V: 3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor SUM70060E-GE3 Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 131 А Rds2510V: 4.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG042N10NS1P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG032N08NS1P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 180 А Rds2510V: 3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor CRSS038N08N Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 172 А Rds2510V: 3.2 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFP4110PBF Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.7 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor VS8402ATH Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 160 А Rds2510V: 4.5 мОм VGS(th): 2.6 ... 3.6 V
Transistor CRST041N08N Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 172 А Rds2510V: 3.4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG043N10NS2P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFS4010TRLPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.9 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG042N10NS1B Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor NCEP85T16 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.1 мОм VGS(th): 2.5 ... 4.5 V
Transistor HYG043N10NS2B Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 164 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 116 А
Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса 120 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.9 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.5 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2.5 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 375 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (560Kb)

Изображение товара

Transistor FDB047N10

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.