ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Online store
УКР РУС ENG
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register
Search:
arrow_drop_down
close
search Search

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

New items All New Items...

Recommended All…

Product code:
041354

Transistor FDB047N10

Transistor FDB047N10
Case: D2PAK
Manufacturer: ON Semiconductor (ONS)
In stock
182,70 UAH × = 182,70 UAH
from 1 pc : — 182,70 UAH
from 10 pcs : — 169,00 UAH ( -7,5%)
from 50 pcs : — 155,30 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
10 pcs
For Online Orders
10 pcs

Similar products

Transistor CRST041N08N Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 172 А Rds2510V: 3.4 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor NCEP85T14 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 85 V Id25: 140 А Rds2510V: 3.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG043N10NS2B Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFB4110PBF Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.7 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor CRST045N10N Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 172 А Rds2510V: 3.6 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG042N10NS1B Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 160 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor CRST040N10N Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 183 А Rds2510V: 3.3 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFS4010TRLPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.9 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor HYG043N10NS2P Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 164 А Rds2510V: 3.5 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor IRFP4110PBF Package: TO247 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 100 V Id25: 180 А Rds2510V: 3.7 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус D2PAK
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 100 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±20 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 164 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 116 А
Id25 (Package Limited) - постоянный ток стока при 25°C ограниченный конструкцией корпуса 120 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 3.9 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3.5 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2.5 ... 4.5 V
Мощность рассеяния при 25°C 375 Вт
The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП sensrv.voron@gmail.com

Buy with this product: View more…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.