ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
049860

Transistor JT075N065WED

Transistor JT075N065WED
Корпус: TO247
Manufacturer: Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
NOT available.
Expected price: 157,50 UAH
from 1 pc : — 157,50 UAH
from 10 pcs : — 145,70 UAH ( -7,5%)
from 30 pcs : — 133,90 UAH ( -15,0%)
Prices are indicated at the time of product availability and may change upon receipt

Current balances:

NOT available

Similar products

Transistor CRG75T60AK3HD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 390 Вт
Транзистор NCE80TD65BT Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 160 А Ic100: 80 А Pd25: 390 Вт
Транзистор TGAN80N65F2DS Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 160 А Ic100: 80 А Pd25: 577 Вт
Transistor FGY75N60SMD Package: TO247-Super структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 750 Вт
Transistor FGH75T65SHD_F155 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 150 А Ic100: 75 А Pd25: 455 Вт
Transistor IRGP4066D-EPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 140 А Ic100: 90 А Pd25: 454 Вт

Specifications

Производитель Jilin Sino-Microelectronics Co., Ltd. (JILIN SINO)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 150 А
Макс. ток коллектора (100°C) 75 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 75 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 25.4 / 195 нс
Мощность рассеяния при 25°C 539 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (1336Kb)

Изображение товара

Transistor JT075N065WED

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.