ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться

Шановні клієнти інтернет-магазину!

  У зв'язку зі святкуванням Нового Року ми працюємо за наступним графіком:
• з 31.12.24(Вт) по 02.01.25(Чт) не працюємо
• з 03.01.25(Пт) працюємо в звичайному режимі.

  Інтерет-магазин приймає замовлення цілодобово 24/7 !

Все Новости
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ Field effect transistors

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
040217

Transistor S70N08R

N-ch 70V 90A 6mOhm
Transistor S70N08R
Корпус: TO220
Manufacturer: Si-Tech
NOT available.
Expected price: 25,20 UAH
from 1 pc : — 25,20 UAH
from 20 pcs : — 22,68 UAH ( -10,0%)
from 100 pcs : — 21,42 UAH ( -15,0%)
Prices are indicated at the time of product availability and may change upon receipt

Current balances:

NOT available

Similar products

Transistor STP110N8F6 Package: TO220 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 80 V Id25: 110 А Rds2510V: 5.6 мОм VGS(th): 2.5 ... 4.5 V
Transistor IRF3808STRLPBF Package: D2PAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 106 А Rds2510V: 5.9 мОм VGS(th): 2 ... 4 V
Transistor S68N08S Package: TO263 структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 68 V Id25: 80 А Rds2510V: 6.5 мОм VGS(th): 2.5 ... 3.5 V
Transistor IRFR3607TRPBF Package: DPAK структура: N схема: Одиночный V(BR)DSS: 75 V Id25: 80 А Rds2510V: 7.34 мОм VGS(th): 2 ... 4 V

Specifications

Производитель Si-Tech
Корпус TO220
Структура N
Схема соединения Одиночный
V(BR)DSS - напряжение пробоя сток-исток 70 V
Vgs - напряжение затвор-исток ±25 V
Id25 - постоянный ток стока при 25°C 90 А
Id75(100) - постоянный ток стока при 75(100)°C 57 А
Rds(on)25 - сопротивление сток-исток при 25°C,Vgs=10V 6 мОм
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (типовое) 3 V
VGS(th) - пороговое напряжение затвор-исток (диапазон) 2.4 ... 3.6 V
Мощность рассеяния при 25°C 127 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (2294Kb)

Изображение товара

Transistor S70N08R

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.