ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Интернет-магазин
УКР РУС ENG
Корзина пуста!
ВХОД ДЛЯ КЛИЕНТОВ

Забыли пароль?
Зарегистрироваться
Поиск:
arrow_drop_down
close
search Найти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товара:
041185

Transistor NGTB50N60FLWG

Transistor NGTB50N60FLWG
Корпус: TO247
Manufacturer: ON Semiconductor (ONS)
In stock
260,40 UAH × = 260,40 UAH
from 1 pc : — 260,40 UAH
from 10 pcs : — 240,90 UAH ( -7,5%)
from 30 pcs : — 221,30 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
91 pcs
For Online Orders
91 pcs

Similar products

Transistor NGTB50N60FL2WG Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 417 Вт
Transistor FGA50T65SHD Package: TO-3PN структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 319 Вт
Transistor SGT60N60FD1PN Package: TO3P структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 321 Вт
Transistor FGH60N60UFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 298 Вт
Transistor MBQ60T65PES Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 100 А Ic100: 60 А Pd25: 428 Вт
Транзистор YGW60N65T1 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 312 Вт
Transistor IKW75N65EH5 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 90 А Ic100: 75 А Pd25: 395 Вт
Transistor IRGP4068DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 96 А Ic100: 48 А Pd25: 330 Вт
Transistor FGH60N60SFD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 378 Вт
Transistor IKW50N60H3 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 100 А Ic100: 50 А Pd25: 333 Вт
Transistor RJH60F7DPQ-A0 Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 90 А Ic100: 50 А Pd25: 328.9 Вт
Transistor FGH60N60SMD Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 120 А Ic100: 60 А Pd25: 600 Вт

Specifications

Производитель ON Semiconductor (ONS)
Корпус TO247
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 100 А
Макс. ток коллектора (100°C) 50 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 100 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 50 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 85 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 223 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 30 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (253Kb)

Изображение товара

Transistor NGTB50N60FLWG

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: Посмотреть больше…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.