ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Інтернет-магазин
УКР РУС ENG
Кошик порожній!
ВХІД ДЛЯ КЛІЄНТІВ

Забули пароль?
Зареєструватися
Пошук:
arrow_drop_down
close
search Знайти

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

Новинки All New Items...

Recommended All…

Код товару:
049846

Transistor STGB20M65DF2

IGBT M series, 650 V, 20 A low-loss in a D²PAK package
Transistor STGB20M65DF2
Корпус: D2PAK
Manufacturer: ST Microelectronics (STM)
In stock
77,70 UAH × = 77,70 UAH
from 1 pc : — 77,70 UAH
from 10 pcs : — 69,93 UAH ( -10,0%)
from 50 pcs : — 66,04 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
47 pcs
For Online Orders
47 pcs

Similar products

Transistor STGP19NC60KD Package: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 20 А Pd25: 125 Вт
IKW transistor20N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Transistor STGB19NC60KDT4 Package: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 20 А Pd25: 125 Вт
Transistor IRGP4062DPBF Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 48 А Ic100: 24 А Pd25: 250 Вт
Transistor IKW30N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 45 А Ic100: 39 А Pd25: 187 Вт
Transistor IRGB10B60KDPBF Package: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 19 А Pd25: 156 Вт
Transistor FGB20N60SFD Package: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 208 Вт

Specifications

Производитель ST Microelectronics (STM)
Корпус D2PAK
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 650 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 40 А
Макс. ток коллектора (100°C) 20 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 40 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 20 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 166 / 281 нс
Мощность рассеяния при 25°C 166 Вт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (677Kb)

Зображення товару

Transistor STGB20M65DF2

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown



Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.