ЧП Ворон. Электронные компоненты и радиомонтажное оборудование. Микросхемы, транзисторы, реле, резисторы, конденсаторы, паяльное оборудование, припой.
Online store
УКР РУС ENG
Cart is empty!
CUSTOMER LOGIN

Forgot your password?
Register
Search:
arrow_drop_down
close
search Search

Enter a search string or click on the microphone icon and begin speaking.

×
История запросов
ваша история поиска пуста
Whole catalog ↠ Active ingredients ↠ Transistors, modules ↠ IGBT transistors and modules

New items All New Items...

Recommended All…

Product code:
031203

Transistor IRGB10B60KDPBF

IGBT 600V 19A 156W
Transistor IRGB10B60KDPBF
Case: TO220
Manufacturer: International Rectifier (IR)
In stock
94,50 UAH × = 94,50 UAH
from 1 pc : — 94,50 UAH
from 10 pcs : — 87,41 UAH ( -7,5%)
from 50 pcs : — 80,32 UAH ( -15,0%)

Current balances:

Магазин-Днепр
50 pcs
For Online Orders
50 pcs

Similar products

Transistor FGP15N60UNDF Package: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 178 Вт
Transistor STGB15M65DF2 Package: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 136 Вт
Transistor STGP19NC60KD Package: TO220 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 20 А Pd25: 125 Вт
IKW transistor20N60T Package: TO247 структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Transistor STGB20M65DF2 Package: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 650 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 166 Вт
Transistor STGB19NC60KDT4 Package: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 35 А Ic100: 20 А Pd25: 125 Вт
Транзистор XNF15N60T Package: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25:
Transistor FGPF15N60UNDF Package: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 42 Вт
Transistor FGB20N60SFD Package: D2PAK структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 40 А Ic100: 20 А Pd25: 208 Вт
Transistor STGF15H60DF Package: TO220F структура: IGBT + Diode Vcemax: 600 V Ic25: 30 А Ic100: 15 А Pd25: 30 Вт

Specifications

Производитель International Rectifier (IR)
Корпус TO220
Структура IGBT + Diode
Схема соединения Одиночный
Макс. напряжение коллектор-эмиттер 600 V
Напряжение затвор - эмиттер ±20 V
Макс. ток коллектора (25°C) 35 А
Макс. ток коллектора (100°C) 19 А
Макс. постоянный ток диода (25°С) 35 А
Макс. постоянный ток диода (100°С) 19 А
Время восстановления диода (25°С/tmax) 90 нс (typ)
Мощность рассеяния при 25°C 156 Вт
Тип упаковки Туба
Стандартная упаковка 50 шт

Technical documentation

Файл с описаниемФайл с описанием (304Kb)

Product picture

Transistor IRGB10B60KDPBF

Leave your feedback or ask a question

Only this product is discussed here. Off topic comments will be deleted! Please follow the Commenting Rules.

The data presented in the product description are for reference only and may differ from those indicated by the manufacturer.
To carry out technical calculations and obtain the exact parameters of the goods, use the datasheets from the manufacturer's website.
If you need additional information, or you found an error in the description, or have other questions about this product, then our manager will help you: Евгений ЗП unknown

Buy with this product: View more…




Наш адрес и телефоны:   Украина, г. Днепр,
ул. Новокрымская 58 (на углу пересечения с ул. Матросская)
+38 (067) 565-89-78

» Контактная информация и схема проезда		  

Отправляем заказанные товары во все регионы Украины : Александрия, Винница, Житомир, Запорожье, Ивано-Франковск, Киев, Кировоград, Краснодон, Львов, Луцк, Мелитополь, Николаев, Одесса, Очаков, Полтава, Переяслав-Хмельницкий, Светловодск, Трускавец, Ужгород, Чоп, Энергодар, Фастов, Херсон, Харьков, Черкассы,Чернигов, Южноукраинск и другие.

» Подробнее о доставке товаров
   2004—2022 (c) ЧП «ВОРОН».
Все права защищены.